RF Мощность Mosfet BLF278

RF Мощность Mosfet BLF278

ориг. цена: 10,00 USD
Шэньчжэнь, Китай
Объем производства:
10000 Штука / День
Шэньчжэнь, Китай
Компания
86-755-83505482
YOLANDA KE
Контактное лицо

Основные данные

Бренд NXP
Номер Модели RF Power MosfetBLF278
FEATURES · High power gain · Easy power control · Good thermal stability · Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS · Broadcast tnsmitters in the VHF frequency range. DESCRIPTION Dual push-pull silicon N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor encapsulated in a 4-lead, SOT262A1 balanced flange package with two ceramic caps. The mounting flange provides the common source connection for the transistors. MODE OF OPERATION f (MHz) VDS (V) PL (W) Gp (dB) hD (%) CW, class-B 108 50 300 >20 >60 CW, class-C 108 50 300 typ. 18 typ. 80 CW, class-AB 225 50 250 >14 typ. 16 >50 typ. 55

Условия поставки и упаковка

Порт: SHENZHEN

Условия оплаты

Электронный перевод

MoneyGram

Paypal

Вестерн Юнион

Фотографии

    Восстановление пароля
    Для восстановления пароля, введите пожалуйста ниже емаил, на который производилась регистрация:
    Код для сброса пароля был выслан на указанный Вами Email
    Код уже был отправлен Вам ранее.
    Вы можете ввести его в поле выше, или получить новый код через сек.
    Произошла ошибка. Пожалуйста, проверьте введенные Емаил и повторите попытку.
    Ваш новый пароль:

    Имя не заполнено


    Выберите страну доставки

    Вы не написали сообщение

    Нажимая на кнопку "Отправить" Вы даете нам свое согласие на использование указанных Вами здесь данных для обработки Вашего запроса. Передача данных третьим лицам исключена.

    Ваше сообщение отправлено!

    Закрыть

    1
    Рынок B2B
    Сбросить Закрыть
      Показать все свернуть
        Регион поиска
        По всему миру
        Категории
          Наименование позиций